HMC833LP6GE详细参数_参考价格_HMC833LP6GE PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	锁相环 - PLL
RoHS	是
类型	Fractional-N
电路数量	1
最大输入频率	6000 MHz
最小输入频率	25 MHz
输出频率范围	25 MHz to 6000 MHz
电源电压-最大	5.2 V
电源电压-最小	3 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-40
封装	Cut Tape
系列	HMC833
商标	Analog Devices / Hittite
工作电源电流	105 mA
工作电源电压	3.3 V, 5 V
产品类型	PLLs - Phase Locked Loops
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	117.300 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
LMX2531LQ1415E/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Hi Perf Freq Synthesizer System	1:¥88.4451 10:¥79.9927 25:¥74.0715 100:¥66.2406 1,000:¥50.2511	参考库存:34737
HMC1106-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 20-50GHz Double Balanced mix	2:¥919.0855 6:¥902.4067 10:¥875.6709 26:¥844.6298	参考库存:5024
BGA5H1BN6E6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 RF SILICON MMIC	1:¥4.7686 10:¥3.9324 100:¥2.5312 1,000:¥2.034 12,000:¥1.6498	参考库存:62991
A3T18H400W23SR6	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	1:¥1,065.9968 5:¥1,045.024 10:¥996.3097 25:¥975.4047 100:¥926.6113 150:¥861.9866	参考库存:34746
TH72005KLD-BAA-000-RE	Melexis	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 315MHz FSK/ASK Transmitter	1:¥17.9783 10:¥14.5205 100:¥11.6051 500:¥10.1474 5,000:¥7.571	参考库存:34751