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无线和射频半导体
BFP 196 E6327参考图片

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BFP 196 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.147
21.47
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.64523
1935.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP196
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 50 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
7.5 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
7500 MHz
最大直流电集电极电流
0.1 A
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327XT SP000011027
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 196 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 2.2-2.7GHz 2W SSG 12.8dB
1:¥73.3031
100:¥73.3031
200:¥67.235
参考库存:4818
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT pow amp SMT, 4.9 - 5.9 GHz
1:¥121.023
10:¥111.2598
25:¥106.6494
100:¥93.9708
500:¥87.5185
参考库存:6500
无线和射频半导体
射频放大器 30MHz-6GHz RF/IF Gain Block
1:¥26.2047
10:¥23.3571
25:¥21.0519
50:¥20.0575
1,000:¥13.447
参考库存:9267
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN Limiter Diode Cap. .32pF
1:¥14.5996
10:¥13.1419
25:¥11.9102
100:¥10.5994
3,000:¥6.7122
参考库存:18384
无线和射频半导体
射频收发器 2.4-2.5GHz 802.11g/b 射频收发器
1:¥81.8346
10:¥77.2242
25:¥61.7771
50:¥58.7035
2,500:¥39.7308
参考库存:34054
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