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无线和射频半导体

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BFR 35AP E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.2035
22.035
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR35
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 15 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
5000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.045 A
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 35AP E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TRM-900-TT
Linx Technologies
无线和射频半导体
射频收发器 TT Series 900MHz Remte Cntrl Transcvr
1:¥338.8644
25:¥313.2812
100:¥268.714
参考库存:8018
CZB06S04050050LEA
Vishay / Dale
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 5dB
1:¥1.3108
50:¥0.99892
100:¥0.95259
500:¥0.73789
1,000:¥0.61472
4,000:¥0.53788
参考库存:22875
HMC273AMS10GETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 5-Bit Digital Attenuator SMT
1:¥50.6353
10:¥45.7989
25:¥43.6406
100:¥37.9567
500:¥33.0412
参考库存:6042
F2932NBGP
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2932 RF Switch
1:¥30.1258
10:¥26.894
25:¥24.2046
100:¥22.0576
参考库存:5059
CC3220SM2ARGKR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU CC32X0 PG 3.1
1:¥81.3713
10:¥72.9189
25:¥68.2294
100:¥60.5454
2,500:¥46.5673
参考库存:29611
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