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无线和射频半导体
BFP 193 E6327参考图片

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BFP 193 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.92208
922.08
3,000
¥0.78422
2352.66
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327XT SP000011024
商品其它信息
优势价格，BFP 193 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGS2352-2-SM
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC .5-12GHz SPDT GaN IL < 1dB
1:¥768.40
25:¥637.772
100:¥537.88
参考库存:5313
F2913NLGK
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2913 PI FOR SP2T ABSORPTIVE RF SWITCH
1:¥34.8831
10:¥31.1202
25:¥27.9675
100:¥25.5154
参考库存:7320
AT86RF215-ZU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频收发器 Dual Band IEEE 802.15.4 TRX, 48QFN, Tray
1:¥42.8044
10:¥42.1829
25:¥39.0302
参考库存:6952
BGA 824N6 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
15,000:¥1.921
参考库存:88689
MA4AGSW4
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-50GHz SP4T AlGaAs IL .7dB
25:¥180.4158
50:¥164.0534
参考库存:6501
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