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无线和射频半导体
BFS 17S H6327参考图片

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BFS 17S H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFS17
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
1.3 GHz
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS17SH6327XT BFS17SH6327XTSA1 SP000750448
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFS 17S H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 802.15.4 256K SOC Tray
1:¥42.6462
10:¥42.036
25:¥38.8833
100:¥38.8042
参考库存:3090
无线和射频半导体
射频放大器 .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB
25:¥722.296
100:¥568.616
参考库存:1452
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:16079
无线和射频半导体
射频检测器 Prec 300MHz to 7GHz 射频检测器 w/ SD &
1:¥26.4307
25:¥17.515
100:¥14.4414
250:¥13.7521
500:¥12.5204
1,500:¥12.2153
参考库存:3951
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz Gain 24dB NF 2.5dB GaAs
1:¥234.0569
25:¥219.5364
参考库存:1398
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