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无线和射频半导体
55GN01CA-TB-E参考图片

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55GN01CA-TB-E

  • ON Semiconductor
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  • 射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2374
22.374
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.56048
1681.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
55GN01CA
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
+ 25 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
5.5 GHz
工作温度范围
+ 25 C to + 150 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
增益带宽产品fT
4.5 GHz
最大直流电集电极电流
70 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，55GN01CA-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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