HMC637ALP5E详细参数_参考价格_HMC637ALP5E PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-32
类型	Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	DC to 6 GHz
P1dB - 压缩点	29 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	12 V
NF—噪声系数	12 dB
OIP3 - 三阶截点	44 dBm
工作电源电流	400 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC637
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	8.6 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	188.600 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NRF24LE1-F16Q32-SAMPLE	Nordic Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 2.4GHz RF TRNSCVR W/ EMB MCU & 10BIT ADC	5:¥49.8669 10:¥40.115 100:¥36.499 250:¥32.9621	参考库存:46260
TQM879006	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 1.8-2.7GHz 31dB Gain 25.4dBm P1	1,000:¥41.6518	参考库存:46265
SBB1089ZSR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Cascadable MMIC Amplifier, LEAD FREE	100:¥24.4306	参考库存:46270
K32W022S1M2VPJAT	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC K3S 176VFBGA 9x9	260:¥75.9925 520:¥71.077 1,040:¥65.1558	参考库存:46275
MRF151GB	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	15:¥929.764 25:¥899.028 50:¥726.5222 100:¥697.1648	参考库存:46280