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无线和射频半导体
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AFV10700HR5

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
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1
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2707.3783
5
¥2,544.2515
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50
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127212.575
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.2 dB
输出功率
700 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
526 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935346523178
单位重量
6.437 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4063-C2A-GM
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频发射器 TX SubG +20dBm
1:¥16.4415
10:¥15.9782
25:¥15.8313
50:¥15.4471
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BFP 840ESD H6327
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1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:12862
EFR32MG1B232F256GM32-C0R
Silicon Labs
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1:¥46.33
10:¥43.7197
25:¥42.4202
50:¥41.1885
2,500:¥34.7362
参考库存:31872
A3T23H300W23SR6
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥737.664
5:¥724.1379
10:¥691.56
25:¥668.508
100:¥622.4831
150:¥570.3788
参考库存:2899
HMC374
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs pHEMT MMIC lo Noise amp, 0.3-3GHz
1:¥69.4611
10:¥62.4664
25:¥58.7826
50:¥55.2457
参考库存:2201
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