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无线和射频半导体
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MRF24300NR3

  • NXP / Freescale
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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1
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5
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10
¥1,277.465
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25
¥1,258.6392
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250
¥1,185.6412
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
13.1 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2.45 GHz
系列
MRF24300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
833 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935323808528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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