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无线和射频半导体
QPD1008参考图片

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QPD1008

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,536.80
1536.8
25
¥1,329.332
33233.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
4 A
输出功率
162 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
127 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1008PCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1008的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3.5GHZ NF 2.5dB Gain 20.4dB
1:¥18.9049
25:¥14.2154
100:¥11.1418
250:¥9.1417
3,000:¥7.0738
参考库存:14812
无线和射频半导体
射频放大器 1:4 Single Ended Active RF Splitter
1:¥32.1937
10:¥28.7359
25:¥25.8996
50:¥24.6679
1,500:¥15.6731
参考库存:9539
无线和射频半导体
射频放大器 VGLNA
1:¥121.023
10:¥109.8021
25:¥103.1916
50:¥99.3496
1,500:¥70.6137
参考库存:9496
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 5.0 SoC w/ Flexpower ARM Cortex M0
1:¥32.9621
10:¥26.5098
100:¥24.1255
250:¥21.8203
5,000:¥15.0629
参考库存:28713
无线和射频半导体
射频放大器 DC-8GHz Gain 15.5dB P1dB 15dBm@2GHz
1:¥112.3446
25:¥86.0608
100:¥67.235
250:¥55.709
1,000:¥43.8779
参考库存:30770
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