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无线和射频半导体
NSVF5488SKT3G参考图片

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NSVF5488SKT3G

  • ON Semiconductor
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  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V F
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33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
8,000
¥1.2543
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
70 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-623-3
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
70 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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