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无线和射频半导体
BFR 460L3 E6327参考图片

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BFR 460L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.2656
126.56
1,000
¥0.95259
952.59
15,000
¥0.70738
10610.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR460L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 20 mA at 3 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
22000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR460L3E6327XTMA1 BFR46L3E6327XT SP000014238
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 460L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADF4113BRUZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL SGL Integer-N 4.0 GHz
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
参考库存:4836
TH72012KDC-BAA-000-TU
Melexis
无线和射频半导体
射频发射器 433MHz ASK Transmitter
1:¥18.3625
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:9308
HMC516LC5TR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 9 - 18 GHz
1:¥394.3474
5:¥382.3581
10:¥370.4479
25:¥358.4586
100:¥332.2539
200:¥322.6489
参考库存:4505
UPP1001E3/TR7
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN Diode
1:¥25.1312
10:¥20.2044
100:¥18.3625
250:¥16.5997
3,000:¥11.9102
参考库存:11247
2N5643
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:4239
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