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无线和射频半导体
QPD1000参考图片

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QPD1000

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
817 mA
输出功率
24 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
28.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-8
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131140
商品其它信息
优势价格，QPD1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EZR32WG230F256R61G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 256 kB M4, +17 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥41.4145
520:¥39.0302
1,040:¥38.42
参考库存:44452
SI4840-A10-GUR
Silicon Labs
无线和射频半导体
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2,500:¥84.524
参考库存:44457
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50:¥195.3318
参考库存:44462
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40:¥136.165
50:¥132.9332
100:¥126.56
250:¥116.1075
参考库存:44467
EZR32HG320F64R55G-B0R
Silicon Labs
无线和射频半导体
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2,000:¥21.0519
参考库存:44472
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