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无线和射频半导体
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MRFX600HSR5

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600HS/CFM4F///REEL 13
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1
¥1,049.8604
1049.8604
5
¥1,029.2718
5146.359
10
¥981.2468
9812.468
25
¥960.6582
24016.455
50
¥960.6582
48032.91
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
32 A
Vds-漏源极击穿电压
193 V
增益
26.4 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935376371178
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC636ST89TR
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