F2270NLGK详细参数_参考价格_F2270NLGK PDF资料_IDT

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	QFN-16
最大衰减	35 dB
最大频率	3000 MHz
通道数量	1 Channel
阻抗	75 Ohms
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
系列	F2270
类型	Voltage Variable Attenuator
商标	IDT
介入损耗	1.1 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	5 MHz
工作电源电压	3.3 V/5 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	624
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EZR32WG230F128R63G-B0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 128 kB M4, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU	260:¥39.0302 520:¥36.8832 1,040:¥36.273	参考库存:40628
SKY85738-11	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5GHz 22.5dBm, 5V 11ac FEM with DPD coupl	4,500:¥11.6051	参考库存:2016740
RFPA5201ESR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2.4GHz 802.11b/g/n	100:¥52.5563 200:¥48.1832	参考库存:40635
QPC3024TR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC 5-3000MHz SPDT P1dB 36dBm 75 Ohm	2,500:¥10.1474 5,000:¥9.6841	参考库存:40640
SMA87-2	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 10-300MHz NF 3.0dB Gain 16.0dB	20:¥1,111.2646	参考库存:40645