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无线和射频半导体
HFA3134IHZ96参考图片

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HFA3134IHZ96

  • Renesas / Intersil
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  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
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数量单价合计
1
¥47.6408
47.6408
10
¥40.4992
404.992
100
¥35.1204
3512.04
250
¥33.2672
8316.8
3,000
¥23.9786
71935.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3134
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
48
集电极—发射极最大电压 VCEO
11 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.5 V
集电极连续电流
0.026 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Dual
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
48 at 10 mA at 2 V, 48 at 1 mA at 2 V, 48 at 0.1 mA at 2 V, 48 at 10 mA at 5 V, 48 at 1 mA at 5 V, 48 at 0.1 mA at 5 V
高度
1.15 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8500 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.6 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8500 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.026 A
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
18 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3134IHZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥597.0468
5:¥546.8748
参考库存:32330
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1:¥1,610.3404
10:¥1,416.003
25:¥1,286.4598
50:¥1,129.0847
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锁相环 - PLL RF Down Converter Embedded Integer-N
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10:¥103.8922
25:¥99.5869
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1:¥2.7685
10:¥2.0679
100:¥1.12209
1,000:¥0.84524
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1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:32350
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