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无线和射频半导体
MRF1K50N-TF4参考图片

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MRF1K50N-TF4

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥10,051.0562
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5
¥9,943.096
49715.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
23 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935345445598
单位重量
1 kg
商品其它信息
优势价格，MRF1K50N-TF4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1513NT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
1:¥81.9928
10:¥74.0715
25:¥64.6247
100:¥61.3929
1,000:¥45.1774
参考库存:7545
PCF7938XA/CAAB3800
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 IMMOBILE XPONDER IC
1:¥39.7308
10:¥33.8096
100:¥29.2783
250:¥27.8206
参考库存:22677
CC2511F16RSP
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2511 16kB Chipset
1:¥49.4036
10:¥44.6463
25:¥41.3354
100:¥36.9623
参考库存:5449
SE5003L1-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 5GHz 802.11ac Gain 32dB P1dB 32dBm
1:¥29.5834
10:¥26.4307
25:¥23.7413
100:¥21.6734
3,000:¥13.3679
参考库存:28926
HMC8401-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Die Sales- 2 die pack
2:¥1,925.1471
6:¥1,897.948
10:¥1,843.7758
26:¥1,748.8784
参考库存:3053
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