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无线和射频半导体
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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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¥2,507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UVD50SC
Microchip / Microsemi
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衰减器 MMIC attenuator die
1:¥2,222.6761
25:¥2,085.6636
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1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
3,000:¥9.605
参考库存:21143
MAAP-011232-001SMB
MACOM
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1:¥2,401.25
参考库存:1780
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无线和射频半导体
衰减器 衰减器
1:¥642.3033
5:¥621.6356
10:¥609.183
25:¥584.3682
50:¥584.3682
参考库存:2082
EFR32MG1B132F256GM48-C0R
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, 16.5 dBm, QFN-48, mesh
1:¥45.3356
10:¥42.8044
25:¥41.5727
50:¥40.2619
2,500:¥33.9678
参考库存:14254
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