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无线和射频半导体
T2G6001528-Q3参考图片

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T2G6001528-Q3

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
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数量单价合计
1
¥812.583
812.583
25
¥733.3587
18333.9675
100
¥661.8184
66181.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
封装
Tray
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1100001
商品其它信息
优势价格,T2G6001528-Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 80MHz 8 TTL IND Programable
1:¥238.9724
5:¥227.6724
10:¥221.0732
25:¥203.1627
参考库存:3339
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:3611
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 12dB -40C +105C
1:¥17.8992
25:¥13.447
100:¥10.4525
参考库存:1838
无线和射频半导体
衰减器 DATT, .25db LSB
1:¥67.0768
10:¥60.7036
50:¥57.856
100:¥50.2511
参考库存:1745
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
1:¥2,673.4896
参考库存:1622
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