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分立半导体
STP100N10F7参考图片

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STP100N10F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STP100N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP100N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:7090
CMSH1-20 TR13
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SMB 1A 20V Schottky
1:¥6.1472
10:¥5.3223
100:¥3.6838
1,000:¥2.7459
3,000:¥2.3165
参考库存:16062
KL3N14-5103
Shindengen
分立半导体
高压触发二极管 VDRM=120 ITSM=30
1:¥9.605
10:¥8.6784
100:¥7.5258
500:¥6.7348
参考库存:2734
CSFA105-G
Comchip Technology
分立半导体
整流器 Sup Fast Rec Rectfr 600V, 1A
1:¥3.3787
10:¥2.2148
100:¥1.356
1,000:¥0.89948
5,000:¥0.77631
参考库存:31736
1N3673A
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 1000V 12A Std. Recovery
1:¥49.8669
10:¥44.7932
25:¥40.8043
100:¥36.8832
参考库存:3088
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