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分立半导体
CSD19532KTTT参考图片

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CSD19532KTTT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.9048
169.048
50
¥16.9048
845.24
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
产品
Power MOSFET
系列
CSD19532KTT
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MOSFET
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,CSD19532KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
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MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1:¥8.8366
10:¥7.5597
100:¥5.8082
500:¥5.1302
1,000:¥4.0454
1,500:¥4.0454
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分立半导体
稳压二极管 250mW 6.2V
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:46409
分立半导体
整流器 200volts 1.0amp
1:¥3.6838
10:¥2.825
100:¥2.1018
500:¥1.7289
3,000:¥1.2091
6,000:查看
参考库存:50701
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.7629
10:¥2.5764
100:¥1.7402
500:¥1.4012
1,000:¥1.05316
1,500:¥1.05316
参考库存:4233
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