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分立半导体
SQJ464EP-T1_GE3参考图片

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SQJ464EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.9099
59.099
100
¥4.5313
453.13
500
¥3.8985
1949.25
1,000
¥3.0849
3084.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
8.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25.4 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ464EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST180C14C0L
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - A-PUK
1:¥631.6248
5:¥619.1722
10:¥593.2839
25:¥574.153
参考库存:3723
BZX79C3V9-T50A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 3.9V 0.5W Zener
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
参考库存:9830
BZG04-11-HM3-08
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.5313
10:¥3.4917
100:¥2.599
500:¥2.1357
1,500:¥1.5029
4,500:查看
参考库存:11182
ALD810025SCL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:3699
ZM4746A L0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 1 Watt 5%
1:¥3.616
10:¥2.6103
100:¥1.5255
1,000:¥0.64523
5,000:¥0.56048
参考库存:95686
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