您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
CSD19538Q3AT参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

CSD19538Q3AT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 100V N ch MOSFET
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:215,050(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9041
290.41
250
¥2.9041
726.025
1,000
¥2.3278
2327.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD19538Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
优势价格,CSD19538Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 20V 500mW
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:16382
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 60V FP SCHOTTKY
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:7724
分立半导体
整流器 3A,1000V,Fast Recovery 整流器,DO-201AD Package
1:¥4.3053
10:¥2.8589
100:¥1.9323
500:¥1.5933
1,200:¥1.1978
参考库存:8591
分立半导体
MOSFET Dual N-channel 30 V 5.6 mo FET
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.441
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
1,500:¥4.4974
参考库存:8488
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:27065
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号