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分立半导体
SQ1912EH-T1_GE3参考图片

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SQ1912EH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.8419
184.19
500
¥1.4803
740.15
3,000
¥1.01474
3044.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
800 mA
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms, 200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.15 nC, 1.15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.6 S, 2.6 S
下降时间
17 ns, 17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns, 21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，SQ1912EH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS1FN6HM3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified
15,000:¥0.52206
24,000:¥0.48364
参考库存:36563
S3J-M3/9AT
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A,600V,GPP STD, SM Rect
10,500:¥0.97632
28,000:¥0.92999
参考库存:36568
LSM170JE3/TR13
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky
3,000:¥2.2939
24,000:¥2.147
参考库存:36573
VS-47CTQ020-1-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-262-e3
1,000:¥7.9891
参考库存:36578
BTA216B-600F,118
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 TRIAC
4,800:¥4.0002
9,600:¥3.8533
参考库存:36583
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