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分立半导体
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CSD17585F5

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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.9 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD17585F5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.77 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17585F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥11.1418
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100:¥15.2889
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2,500:¥10.4525
5,000:查看
参考库存:3173
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10:¥13.2888
100:¥10.5994
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10:¥27.8206
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10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.6046
参考库存:10634
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