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分立半导体
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CSD18536KCS

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数量单价合计
1
¥32.1146
32.1146
10
¥28.815
288.15
100
¥23.5944
2359.44
250
¥22.1254
5531.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
349 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
108 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18536KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
312 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,CSD18536KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A 60V
1:¥4.3053
10:¥3.5934
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
2,500:¥1.8532
参考库存:45896
分立半导体
达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
2,500:¥2.2713
参考库存:59853
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.5A 40V
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89157
参考库存:54715
分立半导体
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.8704
参考库存:20402
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:5689
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