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分立半导体
STB5N80K5参考图片

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STB5N80K5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
1,000
¥6.1359
6135.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB5N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12.7 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,STB5N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW SOD-323HE TUMD2M
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.70738
参考库存:15327
分立半导体
MOSFET T8 40V LOW COSS POWER MOSFET
1:¥22.2836
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
1,500:¥11.2209
参考库存:16719
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:17546
分立半导体
SCR 50A If; 1200V Vr TO-247AD 3L
1:¥41.3354
10:¥34.2729
100:¥28.2048
250:¥27.3573
500:¥24.5097
参考库存:4813
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr 0.09mA IR Schottky Br Diode
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:162220
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