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分立半导体
SIHJ8N60E-T1-GE3参考图片

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SIHJ8N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.0572
140.572
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.5259
4762.95
3,000
¥9.5259
28577.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIHJ8N60E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA41-800BRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 40 Amp 800 Volt
1:¥49.3358
10:¥41.9569
100:¥36.3408
250:¥34.4989
参考库存:4234
VS-6EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 Hyperfast 6A 600V 14ns
1:¥7.0738
10:¥5.65
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.8363
2,000:¥2.5651
参考库存:23956
IPA60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:8763
ZXTP07040DFFTA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HIGH GAIN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:32165
PUMD13,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:171667
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