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分立半导体
QPD1000参考图片

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QPD1000

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
817 mA
输出功率
24 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
28.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-8
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131140
商品其它信息
优势价格,QPD1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:38064
分立半导体
MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
1:¥20.7468
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
参考库存:8606
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.9891
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
参考库存:62268
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
1:¥13.221
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
参考库存:18875
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥0.9831
500:¥0.78422
5,000:¥0.46104
10,000:查看
参考库存:125767
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