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分立半导体
DMNH6021SK3-13参考图片

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DMNH6021SK3-13

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数量单价合计
2,500
¥2.4634
6158.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.2 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，DMNH6021SK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5233C-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.0 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:37536
BZX84C11-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:37541
TLZ6V2B-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5 Watt IR = 3uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:37546
TLZ6V2-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5 Watt IR = 3uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:37551
MMSZ4714-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:37556
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