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分立半导体
TN2540N3-G P013参考图片

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TN2540N3-G P013

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1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.5259
95.259
25
¥7.91
197.75
100
¥7.2207
722.07
2,000
¥4.6556
9311.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
175 mA
Rds On-漏源导通电阻
12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TN2540N3-G P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PRMD16Z
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMD16/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:46996
PRMD2Z
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMD2/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:47001
L601E8
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 1A Sensing 10-10-10-20mA
2,000:¥3.729
参考库存:47006
DDTA113TE-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 1K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:47011
AFT23H200-4S2LR6
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
150:¥732.127
参考库存:47016
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