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分立半导体
TP2535N3-G P002参考图片

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TP2535N3-G P002

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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥7.1416
71.416
25
¥5.989
149.725
100
¥5.4579
545.79
250
¥5.0737
1268.425
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
350 V
Id-连续漏极电流
86 mA
Rds On-漏源导通电阻
30 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TP2535N3-G P002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU3N80K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:19582
ZDT1053TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 75V NPN HighG
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
参考库存:37014
SI7469DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
3,000:¥9.5259
参考库存:8031
STTH5L06RL
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 5.0 Amp 600 Volt
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
参考库存:31813
IRFP4004PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 350A 1.7mOhm 220nC Qg
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:9950
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