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分立半导体
TP2635N3-G P013参考图片

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TP2635N3-G P013

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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥8.3733
83.733
25
¥6.9947
174.8675
100
¥6.3054
630.54
250
¥5.876
1469
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
350 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TP2635N3-G P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 3300V 1200A F/DIODE
1:¥12,136.3356
5:¥11,942.2468
参考库存:32055
分立半导体
分立半导体模块 1600V 120A HF-CNTL
1:¥1,463.0336
5:¥1,427.8454
10:¥1,392.4199
25:¥1,372.9048
参考库存:32060
分立半导体
整流器 600 Volt 70 Amp
1:¥241.9669
5:¥231.0624
10:¥223.8304
25:¥205.7052
参考库存:32065
分立半导体
整流器 Fast Diode 4500V 1460A
暂无价格
参考库存:32070
分立半导体
双向可控硅 800V 16A
500:¥13.6052
参考库存:32075
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