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分立半导体
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MS1001

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库存:45,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M174
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MS1001的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.458
10:¥7.4128
25:¥6.2489
100:¥5.6952
2,000:¥3.8872
4,000:查看
参考库存:23523
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 40 Watt Common Anode AUTO
1:¥3.2996
10:¥2.26
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.92208
参考库存:282190
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:57692
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.6838
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,500:¥1.2091
10,000:¥1.2091
参考库存:53619
分立半导体
MOSFET 30V P-channel MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:22061
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