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分立半导体
UJ3C065030T3S参考图片

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UJ3C065030T3S

  • UnitedSiC
  • 最新
  • MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
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数量单价合计
1
¥228.599
228.599
5
¥218.3047
1091.5235
10
¥211.536
2115.36
25
¥194.3261
4858.1525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UJ3C
商标
UnitedSiC
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
36 ns
商品其它信息
优势价格,UJ3C065030T3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
1:¥712.2277
5:¥703.2442
10:¥667.6605
25:¥636.5403
参考库存:3131
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥5.8986
参考库存:12808
分立半导体
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
1:¥80.1396
10:¥72.3878
25:¥69.0769
100:¥59.9352
250:¥57.2458
参考库存:2990
分立半导体
桥式整流器 RECOMMENDED ALT 78-VBT3045BP-M3/8W
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.4297
800:¥5.0737
参考库存:13562
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=1A
1:¥5.1528
10:¥3.8307
100:¥2.6103
1,000:¥1.808
5,000:¥1.5481
参考库存:60844
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