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分立半导体
APT35GN120BG参考图片

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APT35GN120BG

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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数量单价合计
1
¥73.1562
73.1562
10
¥65.8564
658.564
25
¥60.0143
1500.3575
50
¥55.8672
2793.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
94 A
Pd-功率耗散
379 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
94 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
94 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT35GN120BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 9.747V 6% 1W 2-Pin PMDU
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
9,000:¥0.71416
参考库存:9214
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
1,500:¥1.695
参考库存:25406
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HG Trans.
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:25998
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 27V 2% 550mW 2-Pin
1:¥2.8476
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:44335
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 60 Volt
1:¥5.0737
10:¥4.068
100:¥3.0849
500:¥2.5538
1,000:¥2.0453
1,500:¥1.8532
参考库存:34802
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