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分立半导体
UF3C120040K4S参考图片

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UF3C120040K4S

  • UnitedSiC
  • 最新
  • MOSFET 1200V 35m? SiC Cascode Fast
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数量单价合计
1
¥400.6415
400.6415
5
¥378.9794
1894.897
10
¥368.1427
3681.427
25
¥342.164
8554.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
65 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
429 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UF3C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
UnitedSiC
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
24 ns
商品其它信息
优势价格，UF3C120040K4S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4759A TR
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1:¥3.7629
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:183522
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