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分立半导体
APT85GR120JD60参考图片

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APT85GR120JD60

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:1,936(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥394.8785
394.8785
5
¥381.5897
1907.9485
10
¥369.2162
3692.162
25
¥341.3956
8534.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.5 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
Pd-功率耗散
595 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT85GR120JD60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 3.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM
1:¥7.3789
10:¥6.0907
100:¥4.6669
500:¥4.0228
2,500:¥2.9606
5,000:查看
参考库存:29430
分立半导体
MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
1:¥4.6104
10:¥3.842
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
1,500:¥1.6724
参考库存:29435
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1200V 6A IF (TO-263AB) 80A IFSM
1:¥11.6842
10:¥9.605
100:¥7.3902
500:¥6.3506
800:¥5.0172
参考库存:29440
分立半导体
MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
1:¥8.2942
10:¥7.119
100:¥5.4692
500:¥4.8364
5,000:¥3.39
10,000:查看
参考库存:29445
分立半导体
整流器 50 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.9211
10:¥2.6894
100:¥1.8193
500:¥1.4577
1,500:¥1.00683
4,500:查看
参考库存:29450
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