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分立半导体
IPP120P04P4L03AKSA1参考图片

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IPP120P04P4L03AKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2
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库存：12,466(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
234 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP120P04
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IPP120P04P4L-03 IPP12P4P4L3XK SP000842300
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP120P04P4L03AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZV55-C8V2,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.23052
参考库存:47413
SBR3060CTB
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER
1:¥7.91
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:3405
BZX79-B27,113
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥1.6159
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:17522
DDZ9716S-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200MW 39V
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:24279
DDTC144EUA-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:3526
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