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分立半导体
IPI110N20N3 G参考图片

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IPI110N20N3 G

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数量单价合计
1
¥47.2566
47.2566
10
¥42.7253
427.253
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
10.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 nS
零件号别名
IPI110N20N3GAKSA1 IPI11N2N3GXK SP000714304
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI110N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FR20G02
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 400V 20A Fast Recovery
300:¥61.472
500:¥57.5509
1,000:¥52.7936
参考库存:56226
D2F60-5073
Shindengen
分立半导体
整流器 General Rectifying Diode - SMD
3,000:¥4.6669
24,000:¥3.7855
参考库存:56231
CMPZ5228B BK
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 350mW Zener Diode 3.705V to 4.095V
14,000:¥0.52997
28,000:¥0.49946
56,000:¥0.44522
112,000:¥0.43053
参考库存:56236
SS1H6LS RVG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 60V, SCHOTTKY
12,000:¥0.63054
24,000:¥0.60681
参考库存:56241
FST16040
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 160A Schottky Recovery
40:¥463.8876
80:¥454.2826
120:¥438.8355
参考库存:56246
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