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分立半导体
SI2319DDS-T1-GE3参考图片

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SI2319DDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.2261
222.61
500
¥1.8306
915.3
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，SI2319DDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4461C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:35716
JAN1N5539D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥128.6279
200:¥117.2601
500:¥109.723
参考库存:35721
JANTX1N746DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥120.6388
200:¥110.0394
500:¥102.8865
参考库存:35726
JAN1N3029BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥118.7178
200:¥108.2653
500:¥101.2706
参考库存:35731
JANTXV1N4622C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
136:¥106.2652
250:¥96.8975
500:¥90.6712
1,000:¥83.1454
参考库存:35736
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