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分立半导体
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FGY160T65SPD-F085

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1
¥80.6029
80.6029
10
¥74.1506
741.506
25
¥71.077
1776.925
100
¥62.6246
6262.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
240 A
Pd-功率耗散
882 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGY160T65S_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGY160T65SPD_F085
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，FGY160T65SPD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27B91P-M3-08
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