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分立半导体
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IPB320N20N3 G

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数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.368
1536.8
250
¥14.5205
3630.125
1,000
¥10.9836
10983.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPB320N20N3GATMA1 IPB32N2N3GXT SP000691172
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB320N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS5H615NLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T8 60V LOW COSS
1,500:¥10.0683
参考库存:47367
SP000934752
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 40A TISON-8
5,000:¥2.5764
10,000:¥2.486
25,000:¥2.4069
参考库存:47372
SMBG5373BE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥6.2037
6,000:¥5.9777
9,000:¥5.5257
参考库存:47377
IPLK80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET
5,000:¥3.3674
10,000:¥3.2431
25,000:¥3.1414
参考库存:47382
VS-20ETF06S-M3
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
1:¥22.5096
10:¥18.7467
100:¥14.5205
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:47387
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