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分立半导体
SPP80P06PHXKSA1参考图片

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SPP80P06PHXKSA1

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数量单价合计
1
¥23.5944
23.5944
10
¥20.0575
200.575
100
¥17.3681
1736.81
250
¥16.5206
4130.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
340 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP80P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
H SP000441774 SPP80P06P SPP8P6PHXK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SPP80P06PHXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
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100:¥0.85315
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22,500:查看
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