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分立半导体
STI6N80K5参考图片

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STI6N80K5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAK package
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数量单价合计
1
¥16.2155
16.2155
10
¥13.8312
138.312
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.6841
4842.05
1,000
¥7.9891
7989.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI6N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格，STI6N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHA22N60AEL-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥30.1258
10:¥24.8939
100:¥20.5208
250:¥19.8993
500:¥17.8314
参考库存:12559
BCW66FVL
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCW66F/SOT23/TO-236A
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
参考库存:91411
BZG05C15-HM3-08
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.5369
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
1,500:¥0.90626
4,500:查看
参考库存:28808
CS1M-E3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A, 1000V, SMA
1:¥2.6894
10:¥1.7854
100:¥0.87575
500:¥0.7458
1,800:¥0.44522
3,600:查看
参考库存:31000
STTH16L06CGY-TR
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Automotive Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:18542
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