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分立半导体
IGB15N65S5ATMA1参考图片

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IGB15N65S5ATMA1

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数量单价合计
1
¥14.9838
14.9838
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9157
4457.85
1,000
¥7.3789
7378.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
105 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
35 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IGB15N65S5 SP001502560
商品其它信息
优势价格,IGB15N65S5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 40 Amp 800 Volt
1:¥49.3358
10:¥41.9569
100:¥36.3408
250:¥34.4989
参考库存:4234
分立半导体
整流器 Hyperfast 6A 600V 14ns
1:¥7.0738
10:¥5.65
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.8363
2,000:¥2.5651
参考库存:23956
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:8763
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HIGH GAIN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:32165
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:171667
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