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分立半导体
ZVN4206GTA参考图片

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ZVN4206GTA

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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.8082
58.082
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZVN4206
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN4206GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,000:¥4.5539
参考库存:7767
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V 2.75 Ohm 17.5A MDmesh K5
1:¥50.4093
10:¥45.5616
25:¥43.4146
100:¥37.7307
参考库存:4809
分立半导体
桥式整流器 4A 800V GLASS PASS INLINE
1:¥7.7631
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.068
参考库存:12561
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 95 Amp 2094 Amp IFSM
1:¥356.3116
5:¥346.8535
10:¥333.4065
参考库存:2838
分立半导体
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 650mA 300mW
1:¥5.8421
10:¥4.9946
100:¥3.4691
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.1696
参考库存:57930
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