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分立半导体
IHW30N160R2参考图片

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IHW30N160R2

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N160R2FKSA1 IHW3N16R2XK SP000273701
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IHW30N160R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX384B3V6-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:138234
BT151-500RT,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
SCR THYRISTOR 12A 500V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:24206
BSP52T3G
ON Semiconductor
分立半导体
达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 80V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
4,000:¥0.92208
参考库存:34108
J201
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥26.7358
10:¥21.5152
100:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:13670
PBSS2515M,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
10,000:¥0.36838
20,000:查看
参考库存:238912
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