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分立半导体
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STW13N80K5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
500
¥18.2156
9107.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW13N80K5
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW13N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N2219/TR
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