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分立半导体
FF400R12KE3参考图片

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FF400R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,217.1456
1217.1456
5
¥1,187.7882
5938.941
10
¥1,158.363
11583.63
25
¥1,142.0684
28551.71
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KE3HOSA1 SP000100781
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥4.9155
10:¥4.5313
100:¥3.4917
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100:¥281.8446
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5,000:¥1.4238
10,000:¥1.2543
25,000:¥1.1865
50,000:¥1.1526
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250:¥72.2296
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参考库存:55306
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